LED行业资讯

/Industry News

广东天一照明科技有限公司
电 话:0769-23280089
Q Q:1035339290/616355769
联系人:张飞婷/罗平
地 址:广东省东莞市东城科技园天霸科技大院内

LED行业资讯

/Industry News

技术分享||大功率LED芯片制作方法

2014/9/22 17:52:13

  随着LED技术越来越成熟,使用领域也逐渐扩大,LED逐步进入了照明市场,并在众多领域得以应用。而要想得到大功率LED器件,就必须制备出适合的大功率LED芯片,广东专业商场LED灯制造商天一照明与您分享大功率LED黄牌制造方法。

 

技术分享||大功率LED芯片制作方法

 

  一、大尺寸法

 

  通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸,促使流经TCL层的电流均匀分布,以达到预期的光通量。但是,简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题,并不能达到预期的光通量和实际应用效果。

 

  二、矽底板倒装法

 

  首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片,同时制备出相应尺寸的矽底板,并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层(超声金 丝球焊点),再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与矽底板焊接在一起。这样的结构较为合理,既考虑了出光问题又考虑到了散热问题,这是目前主流的大功率 LED的生产方式。

 

  三、陶瓷底板倒装法

 

  先利用LED芯片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板,并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电 层及引出导电层,然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题,并且采用的陶瓷底板为高 导热陶瓷板,散热效果非常理想,价格又相对较低,所以为目前较为适宜的底板材料,并可为将来的积体电路一体化封装预留空间。

 

技术分享||大功率LED芯片制作方法

 

  四、蓝宝石衬底过渡法

 

  按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后,将蓝宝石衬底切除,再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。

 

  五、AlGaInN碳化矽(SiC)背面出光法

 

  美国Cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的厂家,几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进,亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部,采用单引线键合,相容性较好,使用方便,因而成为AlGaInNLED发展的另一主流产品。

 

 

 

 

上一篇: 商场LED灯散热问题的应对方法 下一篇:[LED散热篇]LED散热的五大误区及其七大解决方法分享
友情链接:    星空彩票   时分彩票官网   盛世彩手机app下载   趣彩彩票   中国官方彩票网址